<span style='color:red'>三星</span>电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
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发布时间：2024-09-24 10:07 阅读量：496 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统
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三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。
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发布时间：2024-08-27 11:02 阅读量：504 继续阅读>>
威兆半导体：PD快充功率器件选型难，不如看看小米、<span style='color:red'>三星</span>都在用的功率器件
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威兆半导体：PD快充功率器件选型难，不如看看小米、三星都在用的功率器件

　　目前，手机已经成为人们上网的主要工具，手机满足人们在支付、购物、医疗、娱乐等方面需求，因此对手机电量需求也与日俱增，而快充是人们解决续航焦虑的最优解，所以手机快充成为消费者购机的重要考量。　　早在2014年快充技术便成为了各大手机品牌厂商竞相研发的焦点，OPPO率先推出5V4A快充，率先拉开高功率快充序幕。到了2019年前后，有线快充技术更是迈入了全新的发展阶段，高通QC、USB-IF PD通用协议以及小米、OPPO、vivo等私有快充协议层出不穷，手机快充功率一路飙升至100W甚至达到240W超高功率，只需短短几分钟便可轻松“回血”。　　到2024年有线快充技术已经趋于成熟，各大手机品牌在市场上占据了主导地位。据充电头网了解，摩托罗拉、小米、OPPO、vivo、魅族等多个知名手机品牌均已推出了支持大功率快充的产品，整个快充市场呈现出百家争鸣的繁荣景象，推动相关供应链升级，带动整体行业高速发展。　　威兆推出多款适配高功率PD快充MOSFET　　威兆作为一家本土的电子元器件厂商，自成立以来，威兆始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。　　在消费类电子行业，频频可以看到威兆MOSFET的身影进入世界知名品牌供应链，OPPO、小米、vivo、三星、努比亚、飞利浦、公牛等都是它的客户，威兆MOS以过硬的产品品质，获得了市场的高度认可。　　威兆针对大功率PD快充推出的100V系列同步整流管(如VSP004N10MS-G/VSP003N10HS-G等)和30V系列VBUS开关管(如VS3698AE/3618BE/3610AE等)，可以满足各大智能手机品牌PD快充以及其他高压大电流的私有快充输出需求。　　威兆VSP004N10MS-G　　威兆VSP004N10MS-G是一颗耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5060X封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VSP003N10HS-G　　威兆VSP003N10HS-G是一颗采用10V逻辑电平控制，耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VS3698AE　　威兆VS3698AE是一颗采用Trench工艺制造的NMOS，导阻及损耗更低，耐压30V，导阻3mΩ，提供PDFN3333封装。　　威兆VS3618BE　　威兆VS3618BE是一颗耐压30V，导阻为5.2mΩ的NMOS，采用PDFN3333封装。该器件在用Trench工艺制造导阻及损耗更低。　　威兆VS3610AE　　威兆VS3610AE是一颗耐压30V，导阻4mΩ的NMOS，支持5V逻辑电压控制，采用PDFN3333封装。该器件用Trench工艺，导阻及损耗更低。　　威兆MOSFET获多家知名手机品牌PD快充采用　　充电头网通过拆解了解到，自2023年至2024年5月初已有来自摩托罗拉、魅族、iQOO、三星、小米、红米、vivo品牌的12款PD快充适配器内置威兆MOSFET，产品性能获得业界知名手机品牌的一致认可，累计出货量超亿颗。　　摩托罗拉68W USB-C氮化镓充电器　　摩托罗拉这款68W氮化镓充电器采用直板造型设计，侧面印有功率标识。本次拆解的充电器为美版，没有印刷标识，根据外壳得知输出功率为68W。充电器采用固定插脚，单USB-C接口设计，其中USB-C接口采用红色表示支持快充。　　摩托罗拉68W快充内置内置的同步整流管为威兆VSP004N10MS-G，另一颗VBUS开关管为威兆VS3610AE。　　摩托罗拉125W氮化镓充电器　　摩托罗拉这款氮化镓充电器为固定插脚设计，黑色磨砂外壳，亮面字体表示支持125W输出功率。充电器具备100W通用快充输出和5A PPS输出，对主流安卓手机快充兼容性都很好，可为笔记本电脑充电。　　其内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G，输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　魅族20 Pro原装80W快充充电器　　魅族这款80W充电器为手机原装配机充电器，其采用经典白色机身设计，固定插脚，配有单USB-C接口。充电器输出支持65W PD快充和80W魅族私有快充协议，不仅支持魅族20手机80W快充，还能为笔记本电脑和其他品牌手机进行快充，快充兼容性不错。　　魅族这款快充内置的同步整流管是威兆VSP004N10MS-G，另一个输出VBUS开关管同样威兆VS3610AE。　　魅族PANDAER 80W氮化镓快充充电器　　魅族PANDAER氮化镓充电器具备月白和定胜青两张清新配色，表面为磨砂质感，清凉而舒适。充电器配有折叠插脚，单USB-C输出。输出支持80W魅族私有快充和65W PD快充，满足为魅族20系列手机快充，并且还能满足其他安卓手机及笔记本电脑充电，美观实用。　　魅族PANDAER这款快充内置的同步整流管同样为威兆VSP004N10MS-G。　　iQOO手机原装120W超快迷你闪充　　iQOO手机配备的这款120W超快闪充迷你充电器采用经典的白色直板机身设计，充电器为固定插脚设计，体积小巧。充电器配备单USB-C接口，并具备65W PD快充输出，满足手机大功率充电的同时，也能为笔记本电脑充电。　　其内置的输出VBUS开关管同样为威兆VS3698AE。　　三星35W 1A1C双口快充充电器　　三星推出的这款双口充电器为黑色外壳，固定插脚设计，充电器具备1A1C双接口，其中USB-C口单独输出时具备35W输出功率，USB-C和USB-A口同时输出时，支持20W和15W功率分配，满足两台设备同时充电需求，具备很好的快充兼容性。　　三星这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G。　　小米13 Ultra原装90W氮化镓充电器　　小米13 Ultra氮化镓充电器为国标固定插脚，外观仍然为小米家族风格。充电器采用USB-A接口，支持最大90W小米私有快充，满足小米13 Ultra手机快充。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现65W PD输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用，对于经常出差的商务人士来说出门带一个就够了。　　小米这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G，另一个VBUS开关管采用威兆VS3618BE。　　小米120W氮化镓小布丁充电器　　小米120W小布丁充电器延续上一代67W小布丁的外壳设计，采用条形柱状造型，风格独特。充电器采用固定国标插脚，支持小米手机120W快充，还支持65W PD快充和33W UFCS快充，支持为笔记本电脑和其他品牌安卓手机快充，整体兼容性不错。　　小米这款小布丁快充内置同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　小米海外版120W快充充电器MDY-13-EE　　小米这款欧版120W充电器采用PC阻燃材质白色外壳，主体为亮面设计，整体光滑简洁。这款充电器为USB-A接口，支持小米私有的20V6A快充档位，还支持QC2.0/3.0快充，搭配小米专用USB-A转USB-C线缆可以进行PD 65W快充，满足手机、笔记本等设备充电需求。　　其内置的输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　小米140W 2C1A氮化镓充电器　　小米这款140W氮化镓充电器采用家族式白色外壳设计，在侧面标注有输出功率，方便辨认。充电器配有折叠插脚，便于日常携带与收纳。充电器具备2C1A接口，任意接口均支持120W快充，且可以实现笔记本100W恒功率输出，满足笔电长时间充电需求。同时还具备65+65W或100+33W功率自动分配，适配两台笔记本电脑或笔记本电脑与手机同时充电需求，十分实用。　　其内置一颗威兆VSP003N10HS-G同步整流管，另一颗同步降压开关管为威兆VS3618BE。　　红米K60 Pro原装120W氮化镓充电器　　红米K60手机自带的120W充电器延续了小米手机原装充电器的家族风格，采用固定插脚设计，并采用USB-A接口，支持20V6A输出规格。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现USB-PD快充，具备65W输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用。　　产品内置的同步整流管为威兆VSP003N10H。　　vivo 45W 1A1C双口氮化镓充电器　　vivo这款氮化镓充电器采用白色外壳，配有折叠插脚，小巧精致，便于日常携带与收纳。充电器输出功率为45W，具备1A1C接口，两个接口均支持44W UFCS融合快充和vivo闪充，并且USB-C接口还支持45W PD快充，快充兼容性非常全面，是一款战未来的充电器。　　产品内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　充电头网总结　　从当前的市场格局来看，大功率快充技术已经成为各大手机品牌厂商竞相追逐的焦点。各大手机品牌厂商凭借其在技术研发、生产制造和品牌建设方面的优势，主导着大功率快充技术的市场方向，建立各自的快充生态。　　这种市场格局的建立为原装配件带来了巨大的市场需求，用户也更倾向于选择品质可靠、性能卓越的原装快充配件，促进了原装配件市场的快速增长，同时也对原装配件的性能和质量提出了更高的要求，厂商必须确保每一款快充配件都达到高质量标准。　　威兆作为功率器件领域的佼佼者，在大功率快充市场占据了显著的地位。凭借其卓越的产品质量和全面的服务，威兆MOSFET产品赢得了摩托罗拉、小米、三星、魅族、vivo等众多知名手机品牌的青睐，成为消费类电源领域功率器件的重要供应商。
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发布时间：2024-07-18 09:34 阅读量：504 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证
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三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。
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发布时间：2024-07-16 09:18 阅读量：376 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>美国厂或于2026年生产2nm
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三星美国厂或于2026年生产2nm

　　随着行业竞争演变，三星或将调整其先进制程生产战略。据报道，三星正采取措施，将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年(而不是2024年)，并可能从2nm制造工艺开始。　　三星泰勒晶圆厂原计划将于2024年底开始生产4nm节点，但三星可能会在2024年第三季度做出转向2nm的决定。目前，三星正在放缓芯片制造设备订单，等待决定是否启动2nm制造工艺。　　此前，三星曾于2021年11月宣布斥资170亿美元建造其第一家泰勒工厂，以及其位于德克萨斯州的第二家工厂，但据称该预算已上涨至约200亿美元。　　行业分析认为，三星泰勒工厂初始生产节点以及开始生产的时间的一个考虑因素可能是，市场采用人工智能的速度以及对尖端芯片的需求。目前，三星的代工竞争对手台积电已经在为市场领导者英伟达生产3nm尖端工艺制程。　　与此同时，苹果、AMD、高通、英特尔、联发科等大厂都投产台积电3nm，为了应对产能供不应求，台积电规划今年3nm产能将比去年增加三倍。　　另据报道，三星电子最新的3nm芯片Exynos2500良率，相比第一季的“个位数”有所提升，但目前良率仍略低于20%，难以达到量产标准，未来能否用于GalaxyS25系列旗舰智能手机还尚未确定。但三星正在全力提高良率，以在今年10月之前将Exynos2500芯片良率提升至60%。　　此外，与其他代工厂的竞争形势也可能是三星调整泰勒工厂生产规划的一个因素。目前，英特尔预计将在2024年推出其20A和18A(2nm和1.8nm)工艺。台积电预计将在2025上半年推出2nm工艺，而Rapidus表示计划于2025年4月在试验线上使用IBM授权的2nm工艺生产芯片，并于2027年实现量产。　　三星最近根据《CHIPS法案》获得美国政府66亿美元的奖励，作为回报，三星承诺投资240亿美元在泰勒建造第二座晶圆厂。无论如何，泰勒晶圆厂将在三星产能规划中变得更为重要，但三星最终是否会将最先进的工艺在美国投产还有待观察。
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发布时间：2024-07-01 13:34 阅读量：388 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>HBM产品KHAA84901B-JC17介绍！
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三星HBM产品KHAA84901B-JC17介绍！

　　三星公司是韩国最大的跨国企业之一，成立于1938年，总部位于首尔。公司业务涵盖电子产品、半导体、通信设备、家电、金融、化学等多个领域。三星电子是三星集团旗下最大的子公司，主要生产智能手机、平板电脑、电视、笔记本电脑等电子产品。三星半导体则是全球最大的DRAM和NAND闪存生产商之一。　　下面AMEYA360详细介绍一下三星HBM产品KHAA84901B-JC17的详细信息：　　特点　　加速、扩展并确保超级计算和AI技术　　超级计算和基于AI技术的发展需要高水准的内存，以满足行业对带宽、容量和效率的需求。　　HBM2E Flashbolt 能够提升 AI 的能力，通过其扩展的容量处理更多大数据，并提供高带宽。　　针对上文提及的“HBM2E”，跟随AMEYA360一起来了解一下“什么是HBM2E”，HBM2E，全称为高带宽内存(High Bandwidth Memory)，是一种新型DRAM(动态随机存取内存)解决方案。它使用了基于TSV(Through-Silicon Via，硅通孔)和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构。简而言之，就是将多个内存芯片垂直堆叠成一个矩阵，并将此堆栈放置于处理器或GPU旁边。这种设计使得HBM2E可以在非常小的空间内提供极高的带宽和低功耗。　　技术参数　　- 容量 : 16 Gb　　- 架构 : 1024　　- 速率 : 3.6 Gbps　　- 刷新 : 32 ms　　- 封装 : MPGA　　稳定供货数量 ：25KP/M(限制数量)　　MOQ ：5KP        如需选购KHAA84901B-JC17产品，请邮件至amall@ameya360.com或通过拨打热线电话021-34792258选购!
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发布时间：2024-06-28 13:15 阅读量：1542 继续阅读>>
抢先台积电！<span style='color:red'>三星</span>进军面板级封装！
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抢先台积电！三星进军面板级封装！

　　6月27日消息，据韩媒报道，三星电子半导体封装行业取得了重大进展，将领先台积电踏足面板级封装(PLP)领域。　　三星电子半导体部门前负责人 Kyung Kye-hyun 于今年 3 月出席股东大会，详细阐述了推行 PLP 技术的必要性。　　他解释称：“AI 半导体芯片(带有电路的矩形部件)的尺寸通常为 600mm x 600mm 或 800mm x 800mm，因此需要 PLP 之类的技术，三星目前正积极开发并加强和客户合作”。　　据悉，台积电在研究一种新的先进芯片封装方法，使用矩形基板，而不是传统圆形晶圆，从而在每个晶圆上放置更多的芯片。　　消息人士透露，矩形基板目前正在试验中，尺寸为 510 mm x 515 mm，可用面积是圆形晶圆的三倍多，采用矩形意味着边缘剩余的未使用面积会更少。　　Nikkei Asia 在报道中指出：“台积电的研究仍处于早期阶段，量产预计需要数年时间。尽管台积电之前对使用矩形印刷电路板持怀疑态度，但它进入研究领域意味着重要的技术转变”。　　市场研究公司 IDC 报告称，英伟达如果要完成其 AI 半导体订单，需要台积电一半的 CoWoS 产能，而目前实际能落实的只有约三分之一。　　台积电计划在年底前将该工艺的产能提高一倍以上，然而，AMD 和博通等无晶圆厂公司对台积电 CoWoS 产量的竞争使这一目标具有挑战性。
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发布时间：2024-06-27 13:07 阅读量：381 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>重启一半导体工厂！
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三星重启一半导体工厂！

　　三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始，这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。　　据韩媒报道，业界消息称，三星电子于上月30日召开了董事会内部管理委员会会议，提交并通过了有关P5基础建设的议程。管理委员会由首席执行官兼 DX 部门负责人 Jong-hee Han 担任主席，成员包括 MX 业务部门负责人 Noh Tae-moon、管理支持总监 Park Hak-gyu 和存储业务部门负责人 Lee Jeong-bae。　　三星电子于1月底暂时停止了P5基础建设，投资时机也根据市场情况进行了调整。由于P5建设进度推迟，“一年一新晶圆厂”战略可能被打乱。然而，仅仅四个月后，管理委员会就决定继续进行地基建设。　　三星电子的决定被认为是由于人工智能(AI)热潮导致对存储半导体的需求迅速增长。人工智能加速器中安装的HBM需求大增，需要扩大DRAM产线。HBM采用大量DRAM晶圆，因此需要比目前更多的产能。此外，由于设备端AI的普及，预计移动和PC中安装的通用DRAM的需求也将逐渐增加。　　此外，随着生成的人工智能学习数据容量的增加，对 NAND 闪存的需求也在反弹。　　三星电子在第一季度业绩简报中宣布，仅根据今年的比特增长，就将HBM供应量比去年增加三倍以上。如果通过了正在进行的NVIDIA质量测试，供货规模将会大得多。　　据了解，P5是一座拥有8个洁净室的大型晶圆厂，而 P1 至 P4 则只有 4 个洁净室。这使得确保满足市场需求的大规模生产能力成为可能。虽然P5的具体用途尚未确定，但预计不仅能够满足存储器的需求，还能够满足系统半导体的需求。　　P5基础工程预计最早将在第三季度开始。考虑到与三星物产和三星工程的施工合同，预计完工时间将是2027年4月。然而，根据市场情况，启动时间可能会大大提前。这是因为首先建立的生产线将能够优先量产。
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发布时间：2024-06-25 13:56 阅读量：524 继续阅读>>
中芯国际冲到全球前三：仅次于台积电<span style='color:red'>三星</span>
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中芯国际冲到全球前三：仅次于台积电三星

　　根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季全球前十大晶圆代工产值季减4.3%至292亿美元。　　从排名来看，TOP5代工厂变化明显，中芯国际受益于消费性库存回补订单及国产化趋势，第一季度排名首次超过格芯、联电，跃升至第三名，市场份额达到5.7%，营收季增4.3%至17.5亿美元，营运表现优于其它对手。　　TrendForce表示，第二季度在618年中消费节带动供应链智能手机与消费性电子急单助力下，将使八英寸与十二英寸产能利用率较前季略提升，虽部分将与ASP下滑相抵，但营收将可维持个位数季成长率，中芯国际市占有望维持在第三。　　此外，台积电第一季度受智能手机、笔记本等消费性备货淡季影响，营收同比减少4.1%至188.5亿美元，市占维持在61.7%，依然排名第一。　　三星第一季度同样受到智能手机季节淡季影响，加上安卓中国品牌智能手机及周边企业同样转以国产替代，营收季减7.2%至33.6亿美元，市占维持11%，排名第二。　　此外，联电、格芯分列第四、第五，市场份额分别为5.7%、5.1%。　　跻身前十的还有华虹集团、高塔半导体、力积电、合肥晶合、世界先进。
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发布时间：2024-06-13 13:14 阅读量：609 继续阅读>>
<span style='color:red'>三星</span>电子调整战略：未来存储业务重心转向企业领域
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三星电子调整战略：未来存储业务重心转向企业领域

　　近期，媒体报道三星电子在最新财报电话会议中表示，未来存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而将放在HBM、DDR5服务器内存以及企业级SSD等企业领域。　　三星存储业务副总裁Kim Jae-june表示：“我们计划到2024年年底，HBM芯片的供应量比去年增加3倍以上。我们已经完成协调HBM芯片供应商，在共同努力下目标在2025年让HBM芯片产量再翻一番。”　　AI热潮推动下，HBM需求持续高涨，部分原厂表态，HBM产品在今年已经售罄，有的甚至表态明年的HBM也已经售罄。　　在这种情况下，三星调整了业务方向，专注于HBM等高附加值产品。英伟达目前已经成功转型成为AI硬件巨头，并成为全球第三大市值最高的公司，因此三星公司也将业务重点放在企业领域并不奇怪。
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发布时间：2024-05-15 09:32 阅读量：529 继续阅读>>

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